مرحله دوم تولیدLED

 
تولید led

 

ساخت LED Die

در مطالب قبل، مرحله اول تولیدLED بیان شد،در این قسمت، مرحله ساخت و مونتاژ LED Die توضیح داده می شود. با برآورد انرژی و موادی که در این مرحله از تولیدLED به کاربرده می شود. این مرحله به عنوان یک مرحله میانی و ارتباط دهنده مراحل مختلف می باشد و اهمیت بالایی دارد. در فاز رشد هم بافته، در این مرحله، مواد با استفاده از روش MOCVD و ایجاد حرارت، لایه هسته که شامل لایه های فعال Nو لایه های فعال P می باشد، به صفحه فلزی ارگانیک می چسبند. پس از این مرحله، ویفر به عنوان یک ویفرLED آماده است. لایه هسته، بسیار حساس و آسیب پذیر است به همین دلیل بر روی آن از صفحات کریستالی استفاده می شود تا از ایجاد آلودگی بر روی آن جلوگیری شود. کیفیت این لایه حفاظتی مهم است زیرا باید بتواند لایه های فعال از هر آسیبی حفظ نماید. معمولا در ساخت این لایه حساس، از یک لایه یاقوت کبود که قطر بسیار کمی، حدود 3% قطر لایه اصلی، استفاده می گردد.

 

 
ورودی شرح مراحل پردازش
8.75kWh/wafer
0.06m3H2/wafer
0.02kg NH3 /wafer
ترکیب نیترات و لایه نازک یاقوت کبود در حرارت بالا و در فشار گازهای آمونیاک و هیدروژن پخت زیر لایه
4.74kWh/wafer ویفر در دمای 550 درجه سانتی گراد، قرار گرفته و کاهش قطر خواهد داشت لایه هسته
1.46kWh/wafer
0.02kg NH 3 /wafer
رآکتور چمبر در دمای بالا در حدود1200 درجه سانتی گراد و با کاهش فشار گاز آمونیاک، لایه هسته را تثبیت می کند افزایش دما
9.77kWh /wafer
1.38grams TMGa4 /wafer
0.42kg NH3 /wafer
1.54m3 H2 /wafer
1.54m3 N2/wafer
0.06g SiH4 /wafer
دما در این مرحله تا550 درجه، برای ایجاد لایه بافر، کاهش می یابد. در این ویفر، از لایه بسیار نازک گالیم با حضور 50 تا 100 اتم استفاده می شود. در این لایه گالیم، برای ایجاد ناخالصی و همچنین خاصیت بازتاب، گالیم نیترید افزوده می شود.

بافر + لایه N

(3.84 میکرومتر)

4.74kWh/wafer
0.03grams TMGa / wafer
0.01kg NH3 /wafer
0.01m3H2/ wafer
0.01m3N2 /wafer
0.01g TMIn5 /wafer
در این مرحله، دما از 1200درجه سانتی گراد به 750 تا 850 درجه سانتی گراد می رسد و لایه ای با 120انگستروم InGaN و100 انگستروم GaN افزوده می شود

لایه فعال

MQW

60 نانومتر

3.28kWh/wafer
0.06grams TMGa / wafer
0.02kg NH3/wafer
0.06m3H2 /wafer
0.06m3N2 /wafer
پس ار ترکیب InGaN و GaN با گرم لایه های ویفر، با افزودن آلومینیوم، لایهP که شامل حاملان بار می باشد، به ویفر افزوده می شود.

لایه P

(175 نانومتر)

 
:منبع
ترجمه و ویرایش: زهرا کوکبی عابد - کارشناس جمع آوری اطلاعات

درباره ما:

 شرکت آلتون رای در سال 1374، با هدف ایجاد اشتغال پایدار و رفع نیازهای فنی مهندسی در عرصه منطقه‌ای و فرامنطقه‌ای، با شماره 4258  ثبت گردید و با ایجاد بخش‌های مختلف از جمله واحد تحقیق و توسعه کار خود را در  زمینه الکترونیک، به طور رسمی آغاز نمود.در سال 1377 با راه‌اندازی و تجهیز خط مونتاژ قطعات الکترونیک در راستای تولید انبوه انواع بردهای الکترونیک، موفق به دریافت پروانه تولید از وزارت صنایع و معادن گردید و تاکنون با حرکت در جهت تولید انواع بردهای الکترونیک مرتبط با صنعت لوازم خانگی و ایجاد خطوط تولید در زمینه‌های صنایع روشنایی و ترافیک فعالیت خود را ادامه داده است. ادامه...

استاندارد 

تماس با ما:

دفتر مرکزی: تهران، خیابان فردوسی، خیابان تقوی، کوچه مُهنا، پلاک 27، ساختمان ایرانیان، واحد 7

        66343000 (21) 98+  

  66171785 (21) 98+   

کارخانه: تهران، ملارد، شهرک صنعتی صفادشت، بلوار فروردین، نبش خیابان 5 غربی، پلاک 102

        61945 (21) 98+  

  65433410 (21) 98+